[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-10] SiC-MOSFETの温度依存（-60-200℃）ドレイン電流モデル

鈴木 光明¹、高橋 陽平¹、〇村上 英一¹ (1.九産大工)

キーワード：SiC-MOSFET

市販のSiC-MOSFETを用いて、-60-200℃の範囲でドレイン電流を測定し、I_ds-V_gs, I_ds-V_ds両特性の簡易モデルを構築した。前者で界面準位によるクーロン散乱としきい電圧シフトの温度依存性などのモデル化を行い、後者ではこれに加えて、バルクチャージ係数ｍ、チャネル長変調、ドレイン抵抗のV_ds依存性を導入した。