[10a-70A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10a-70A-11] 1.7 kV 100 A 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs

〇Ryunosuke Nakamura¹, Tatsushi Kaneda¹, Kosuke Uchida¹, Toru Hiyoshi¹, Mitsuhiko Sakai¹, Hirotaka Oomori¹, Takashi Tsuno¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:4H-SiC, MOSFETs, Trench

パワーデバイスは現在Si IGBTが広く普及しているが、近年は高耐圧、大電流域においてSiC MOSFETも市場に供給されて、着実に実績を積み始めている。我々は高効率化に有利なV溝型のトレンチMOSFET (VMOSFET) を開発してきた。トレンチ斜面にチャネル移動度の高い {0-33-8} 面を使うことを特徴としている。2016年には、耐圧960 Vで150 A (V_GS = 18 V、V_DS = 2 V) の大電流素子を報告した。本報告では電鉄や電源用途として需要のある、1.7 kV仕様のドリフト層と組み合わせた100 A級素子の特性について説明する。