[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-6] CO₂雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討

〇細井 卓治¹、大迫 桃恵¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大工)

キーワード：SiC、MOS、熱酸化

CO₂雰囲気下での4H-SiCの熱酸化を検証した。1500℃以上の温度でSiO₂形成が進行することを明らかにし、またヒステリシスのない良好なMOS特性が得られた。