2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:00 70A (創立70周年記念講堂)

喜多 浩之(東大)

10:30 〜 10:45

[10a-70A-6] CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討

細井 卓治1、大迫 桃恵1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大工)

キーワード:SiC、MOS、熱酸化

CO2雰囲気下での4H-SiCの熱酸化を検証した。1500℃以上の温度でSiO2形成が進行することを明らかにし、またヒステリシスのない良好なMOS特性が得られた。