10:00 〜 10:15
[10a-M113-1] 常温接合によるSiC-BOX層SOIウェーハの検討
キーワード：SOIウェーハ、炭化珪素、常温接合貼り合わせ
我々は，SOIウェーハ上に作製したパワーデバイスの自己発熱を対策するために，BOX層を熱伝導率が高い絶縁材料で形成するSOIウェーハを検討している．今回，SiCをBOX層に設定し，さらにSiC層上へシリコン層を真空常温接合するSOIウェーハの可能性について報告する．
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
2019年3月10日(日) 10:00 〜 11:30 M113 (H113)
中村 挙子(産総研)
10:00 〜 10:15
キーワード：SOIウェーハ、炭化珪素、常温接合貼り合わせ