2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[10a-M113-1~6] 6.2 カーボン系薄膜

2019年3月10日(日) 10:00 〜 11:30 M113 (H113)

中村 挙子(産総研)

11:00 〜 11:15

[10a-M113-5] フィルタードパルスアーク蒸着法を用いたシリコン含有DLC膜の形成

杉江 侑哉1、戸谷 陽文1、谷本 壮1、針谷 達1、須田 善行1、滝川 浩史1、神谷 雅男2、國次 真輔3、金子 智4、瀧 真5 (1.豊橋技科大、2.伊藤光学、3.岡山県工技セ、4.神奈川県立産総研、5.オンワード技研)

キーワード:ダイヤモンドライクカーボン膜、シリコン含有DLC膜

本研究では,フィルタードパルスアーク蒸着法を用いてSi含有DLC(Si-DLC)膜を形成し,その膜特性を分析した。SiフリーDLC膜およびSi-DLC膜を超硬基板上に形成した。陰極にはSi含有量の異なる黒鉛(0, 2, 5, 10 at.%)を用いた。XPS分析の結果,膜中のSi含有量は陰極中の含有量よりも高い傾向を示した。ラマン分光分析により,全ての試料でDピークとGピークからなるハイブリットピークが確認されたことから,形成膜はDLC膜であると考えられる。