[10a-M113-1~6] 6.2 カーボン系薄膜

[10a-M113-6] ホウ素添加によるグラファイト状窒化炭素のワイドギャップ半導体化

小坂 舞人¹、〇浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2 (1.信州大学、2.信州大学カーボン研)

キーワード：グラファイト状窒化炭素

グラファイト状窒化炭素へホウ素を添加することでそのワイドギャップ半導体化を目指した。作製温度を変化させて試料を作製したところ、グラファイト状窒化炭素の面内C-Nネットワークの局所的な解離を利用することでホウ素が効率よく添加可能であることが分かった。