High activation of Poly-Si using short dwell Flash Lamp Annealing

Shogo Shigemasu; Hideaki Tanimura; Kazuhiko Fuse; Takayuki Aoyama; Shinichi Kato; Yoshihide Nozaki

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10a-M114-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 12:00 PM M114 (H114)

Takashi Noguchi(Univ. of the Ryukyus), Seiichiro Higashi(Hiroshima Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[10a-M114-4] High activation of Poly-Si using short dwell Flash Lamp Annealing

〇Shogo Shigemasu¹, Hideaki Tanimura¹, Kazuhiko Fuse¹, Takayuki Aoyama¹, Shinichi Kato¹, Yoshihide Nozaki¹ (1.SCREEN Semiconductor Solutions)

Keywords:FLA, Poly-Si, High activation

Poly-Siゲート電極のトランジスタは安価に作製できることから、近年IoTに使うデバイスとして再注目されている。そのため、デバイスの性能を決定するPoly-Siの空乏化の抑制、すなわち不純物の高活性化は極めて重要である。今回、新しく開発した短時間照射Flash Lamp Annealing（FLA）によるPoly-Siの高活性化技術について報告する。