[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-1] KPFMによる窒化ガリウムpn接合の観察

〇(PC)中村 友謙¹、石田 暢之¹、鷺坂 恵介¹ (1.物材研)

キーワード：窒化ガリウム

窒化ガリウム(GaN)は大きなバンドギャップ(3.4 eV)、高い絶縁破壊電界(~3.5 MV/cm)、飽和電子速度(~2.5×10⁷ cm/s)[3]をもつ半導体であり、省電力パワーデバイスの新素材として注目されている。 HVPE GaN基板(n型)上に成長させたエピ膜にMgを添加することでpn接合を形成することが可能である。我々は添加するMgの濃度を~10¹⁷, 10¹⁸, 10¹⁹cm-³に変化させたMg doped p-GaN/ unintentionally doped GaN/n-GaNの積層構造についてKelvin Probe Force Microscopy (KPFM)を用いてポテンシャル分布イメージングを行った。