[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-2] 深堀メサ型GaN縦型pnダイオード絶縁破壊電界の貫通転位密度依存性

〇宇佐美 茂佳¹、田中 敦之^2,3、福島 颯太¹、安藤 悠人¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.物材研、4.赤﨑記念研究センター、5.VBL)

キーワード：塩基性アモノサーマル、絶縁破壊電界、pnダイオード

本講演では塩基性アモノサーマル基板上とHVPE基板上に作製した深堀メサ型pnダイオードを用いて絶縁破壊電界の転位密度依存性について報告する。