[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10a-M121-3] サブバンドギャップ光を用いたGaN中二次元電界マッピング手法の提案

〇川崎 晟也¹、福島 颯太²、宇佐美 茂佳²、安藤 悠人²、田中 敦之^3,4、出来 真斗³、久志本 真希²、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩^3,4,5,6 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.物質・材料研究機構、5.赤﨑記念研究センター、6.VBL)

キーワード：窒化ガリウム、pnダイオード、電界観察

GaN基板上縦型pnダイオードの面内電界強度分布の観察手法として、Flantz-Keldysh効果を用いたサブバンドギャップ光によるOBIC測定を行うことで、電界の情報を光電流として取り出すことを提案し、観察を試みた。その結果、GaNエピ層のマクロステップとよく一致したマッピング像が得られ、不純物揺らぎを反映した電界強度分布が観察されたことが示唆された。