[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10a-M121-4] ラマン分光法を用いたGaN HEMTの応力温度依存性評価

〇内田 智之¹、杉江 隆一¹ (1.東レリサーチセンター)

キーワード：応力、ラマン、窒化ガリウム

ラマン分光法を用いて応力の温度依存性評価をGaN HEMTに適用した事例について報告する。作製した断面におけるソース電極下およびゲート電極下について、応力の温度依存性評価を行い、また、各温度について応力の成分分離を行った。水平方向成分の応力は大きな温度依存性を示し、高温ほど圧縮応力が大きくなっていた。講演では基板側の応力も含めて、このような応力の温度依存性が生じるメカニズムについて議論したいと考えている。