[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-5] FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性

〇濱田 拓也¹、向井 勇人¹、高橋 言緒²、井手 利英²、清水 三聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東京工業大学、2.産業技術総合研究所)

キーワード：GaN、選択成長、FinFET

GaN系半導体は，選択成長を用いたELO技術によってヘテロエピタキシャル成長由来の転位の低減が報告されている。この選択成長GaNを立体チャネルトランジスタに応用できれば，結晶性の改善に基づく性能の向上が期待される。今回，GaN/Sapphire基板上にSiNハードマスクを作製して選択成長したGaNの電気特性を評価した。TLM測定の結果，コンタクト抵抗は比較用のn-GaN層とほぼ等しかったが，一方でチャネルの抵抗率は1桁低くなった。