[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-6] GaNの光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性
②コンタクトレスでのエッチング

〇堀切 文正¹、福原 昇¹、太田 博²、浅井 直美²、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹、三島 友義²、渡久地 政周³、三輪 和希³、佐藤 威友³ (1.サイオクス、2.法政大、3.北大)

キーワード：GaN、光電気化学、ウエットエッチング

GaNは光電気化学(PEC)エッチングにより、ダメージレスかつ平坦にエッチングする事ができる。一方、①UV光の照射、②電解液のシーリング、③コンタクト電極の形成、を必要とし、大口径化・多数枚化に向けて大幅な制約があった。今回、ペルオキソ二硫酸カリウム(K₂S₂O₈)を酸化剤として用いる事で、電解液のシーリングおよび電極が不要なシンプルなPECエッチングに成功したので、その結果について報告する。