[10a-PA4-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

[10a-PA4-8] Yb添加によるAlN薄膜の圧電性の向上

〇(M1C)天野 雄貴¹、上原 雅人^1,2、Anggraini Sri Ayu²、平田 研二²、山田 浩志^1,2、秋山 守人² (1.九大総理工、2.産総研)

キーワード：圧電体、窒化物、薄膜

センサやスマートフォンの高周波フィルタに用いられているAlN圧電薄膜は、Sc添加による飛躍的な圧電性の向上が見出されて以来、次世代移動通信システムへの利用が期待されている。現在、より安価な添加元素の探索が行われている。柳谷らはYbを添加したYb_xAl_1-xNにおいて、0.1≦x≦0.27で電気機械結合係数k_t²が向上すると示している。本研究では、Yb_xAl_1-xNの成膜条件を精査した結果、x＝0.33程度でd₃₃がAlNの約2倍に向上することを見出した。