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[10a-PA5-22] 超伝導線材中の3次元量子磁束構造のシミュレーション
キーワード:超伝導体、時間依存ギンツブルグ-ランダウ方程式、臨界電流密度
第2種超伝導体の臨界電流密度はピンの形状や磁束線とピンの位置関係に大きく依存することが知られている。本研究では3次元の時間依存ギンツブルグ-ランダウ(TDGL)方程式を数値的に解くことで、横磁界下での超伝導体内の磁束線の動きをシミュレーション空間内に再構成し、これを用いて柱状ピンによる磁束線のピン留め効果を系統的に調査した。