[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-1] C-V法によるn型Mg2Si結晶のキャリア濃度測定

〇(B)宮内 壮流¹、新岡 大介¹、高橋 史也¹、鵜殿 治彦¹、渡辺 英一郎²、津谷 大樹² (1.茨城大学、2.NIMS)

キーワード：マグネシウムシリサイド

各種方法でn-Mg2Si結晶に絶縁膜をつけMIS構造のCV測定によってMg2Si基板のキャリア濃度測定を行なった。
その結果、スパッタ成膜したSiO2のMIS構造でキャリア濃度を同定した。