[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-14] II型SiGeクラスレートの合成と構造評価

久松 大峰¹、山田 邦彦²、Jha Himanshu S.¹、大橋 史隆^1,2、〇久米 徹二^1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自然研)

キーワード：半導体クラスレート、SiGe合金

先行研究において，Na_xSi_136-yGe_yが合成されている。しかしながら，Naのほとんど含まないゲストフリーSi_136-yGe_yが合成されていない事や，Geリッチ側でのベガード則からのずれが見られることなど，不明な点が多く残されている。本研究の目的は，先行研究と異なる手法によりGeリッチ側での各種SiGe組成比を持つNa_xSi_136-yGe_yの合成を行い，構造評価および組成評価を行うことである。