[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-15] InGaZnO₄バルク単結晶における格子間水素の電子状態

〇平石 雅俊¹、小嶋 健児²、岡部 博孝¹、幸田 章宏^1,3、門野 良典^1,3、小林 裕樹⁴、宮川 宣明⁴ (1.KEK物構研、2.TRIUMF、3.総研大、4.東理大理)

キーワード：水素、IGZO、ミュオン

IGZO中における希薄水素の電子状態を調べる目的で単結晶IGZOのミュオンスピン回転実験を行った結果、反磁性状態 (H+またはH-に相当) となっていることを明らかにした。また、ミュオン位置での磁場分布の大きさが多結晶やアモルファス膜とほぼ同等であり、局所構造が結晶性によらないことも明らかにした。講演では、角度依存性、外部磁場依存性の結果や酸素アニール試料の実験結果についても報告する予定である。