[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-18] バッファー層を用いたSi基板上への高品位鉄酸化物薄膜の作製

〇山中 健太^1,2、高野 健吾^1,2、山口 憲司² (1.茨城大、2.量研機構)

キーワード：半導体、薄膜、スパッタ蒸着