[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-2] その場熱処理によるMg₂Si結晶のキャリア濃度の低減

〇郷州 桂伍¹、石川 巧真¹、布施 雄太郎¹、鱒渕 稜平¹、矢口 楓子¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：シリサイド半導体