2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[10a-PB3-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PB3 (武道場)

09:30 〜 11:30

[10a-PB3-7] 溶液塗布法によるCu2Sn1-xGexS3薄膜の作製

山本 恭平1、田中 久仁彦1 (1.長岡技大)

キーワード:Cu2Sn1-xGexS3

Cu2SnS3 (CTS)のバンドギャップエネルギーはCu2Sn1-xGexS3 (CTGS)のxを操作して0.84から1.54 eVまで増加可能である.本研究ではCTGS薄膜を低コストなゾルゲル硫化法によって作製した.Cu-Sn-Ge溶液を酢酸銅,塩化錫,酸化ゲルマニウムを用いて作製した.プリカーサーはH2Sを含む雰囲気で硫化され,全サンプルでCTS (200)からCGS (200)側へシフトしたXRDピークが観測された. 600°Cで硫化したサンプルはCTGSのピークのみを示し,シフト角度からGe/(Ge+Sn)は0.5であると推測している.