[10a-S011-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-S011-4] Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnOショットキーフォトダイオードにおける直列抵抗の評価

〇遠藤 治之¹、高橋 強¹、柏葉 安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

キーワード：ショットキーフォトダイオード、MgZnO、直列抵抗

火炎検知器などのアプリケーションに向け、Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めてきた。前回の報告では、逆バイアス電圧を印加することで非常に高感度になることを報告したが、バイアス電圧を印加しない太陽電池モードでは電流感度が低いことが問題となった。そこで本報告では電流-電圧特性を解析し、感度低下の一因となる直列抵抗の評価を行ったので報告する。