[10a-S011-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-S011-6] ミストCVD法によるサファイア基板上a面及びm面ZnO薄膜結晶の品質向上

〇永尾 悠生¹、田中 雄大¹、須恵 耕二⁴、永岡 昭二²、谷田部 然治^1,3、中村 有水^1,5 (1.熊大院自然科学、2.熊本産業技術センター、3.熊大院先導機構、4.熊大工学部、5.くまもと有機薄膜センター)

キーワード：半導体、酸化亜鉛、バッファ層

酸化亜鉛(ZnO)は資源が豊富で、毒性が低く、ワイドバンドギャップ(3.37meV)、直接遷移型半導体という特徴を有することから次世代のLEDの材料として期待されている。本研究では、真空装置が不要なミストCVD法を用いて材料・作製共コスト共に低価格LEDの実現を目標としている。我々の研究では、基板を高速回転させながらミストを堆積させる独自の装置を用いて、膜厚・膜質が均一である単結晶ZnO薄膜の形成に成功している。本研究ではミストCVD法を用いて、自発分極やピエゾ電界が発生しない、非極性面であるm面およびa面ZnO薄膜を成膜した。その際、結晶性向上のために格子不整合による歪を緩和するためバッファ層を導入し、ZnOの結晶性向上とその面内異方性を確認したので報告する。