[10a-S011-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[10a-S011-7] Heat treatment effect of MgZnO film deposited by RF sputtering method

〇Maki Kushimoto¹, Tadayoshi Sakai¹, Manato Deki², Yoshio Honda^2,3, Hiroshi Amano^2,4 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.Inst. of Advanced Resarch, 4.Akasaki RC)

Keywords:TCO, UV LED, oxide

従来の窒化物半導体光デバイスでは透明電極として ITOが用いられてきたが，紫外光領域では吸収率が増加するため、紫外発光デバイスには応用できない。そこでITO と比較して大きなバンドギャップを持つ MgZnOに着目した。本研究ではRFスパッタ法を用いた MgZnO成膜を行い、熱処理による透過特性や電気特性の変化について検討した。