[10a-S221-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10a-S221-5] 正孔動作シリコン量子ドットデバイス集積化に向けたオフセットバイアスによるポテンシャル変調技術

〇天野 亘¹、小林 瑞樹¹、西山 伸平¹、溝口 聖也¹、山岡 裕¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大工)

キーワード：Si、量子コンピュータ

シリコン量子ドット中に閉じ込められた正孔スピンは電界のみで速いスピン操作を行うことが可能である。このため、スピン量子ビットの集積化に有利性を持つシンプル構造が期待されている。本研究では、量子ドットのソースとドレインに対してある共通のバイアスを印加することで、ポテンシャル変調のゲート機能を持たせられるかどうか調べた。