2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマナノテクノロジー

[10a-W241-1~7] 8.3 プラズマナノテクノロジー

2019年3月10日(日) 09:00 〜 10:45 W241 (W241)

田中 康規(金沢大)

10:00 〜 10:15

[10a-W241-5] sPFEによるシリコンナノロッド連続生成とLIB負極特性

田中 章裕1、太田 遼至1、道垣内 将司2、神原 淳1 (1.東大院工、2.島根産技センター)

キーワード:シリコンナノ構造、プラズマスプレー、リチウムイオン電池負極

次世代高密度Liイオン電池負極として高容量と高サイクル安定性の両立が期待されるSiナノロッド(SiNR)を,原料分離投入プラズマフラッシュ蒸発法(sPFE)により安価粉体原料からも高速で連続生成しうることを確認した.触媒連続生成過程を含むSiNR成長モデル提案を通じて,当該PFEプロセス時のSiNR成長の特徴と成長制御指針を定量的に明らかにすると共に,電池負極活物質としての影響を確認した。