[10a-W323-1~9] 6.4 薄膜新材料

[10a-W323-2] Pt/SrTiO₃(111)エピタキシャル膜の成長温度と格子歪緩和

〇葛西 昌弘¹、土肥 英幸¹ (1.九州大)

キーワード：金属薄膜、エピタキシャル、スパッタリング、SrTiO3

Ptを始めとする貴金属触媒は、今後ともエネルギー分野でますますその重要性が高まるものと期待される。我々はこれまでにペロブスカイト型酸化物基板SrTiO₃ (STO)（100）上に、DCスパッタリング法でPt薄膜を作製した結果、成長温度に対して異なる面内配向が混合したり、アイランド状の凹凸が形成されたりと、極めて複雑な成長挙動をすることを報告した¹⁾。そこで、安定面である(111)面の成長を試みたところ、450 ℃という比較的低い基板温度で表面平坦なエピタキシャル薄膜が作製できることが分かった²⁾。本報告では成長温度に対して、格子歪が緩和する過程について報告する。