[10a-W521-1~12] 17.2 グラフェン

[10a-W521-6] 横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界効果の解析

〇志賀 佳菜子¹、菅原 健太²、佐藤 昭²、吹留 博一²、尾辻 泰一²、内野 俊¹ (1.東北工大、2.東北大通研)

キーワード：グラフェン、トンネルダイオード、ゲート可変

我々は先に、単層グラフェン間にトンネル絶縁膜を形成した横型グラフェントンネルダイオードにバックゲート電極を付加した新構造デバイスを作製し、ゲート電圧によってダイオード特性をｎ型からｐ型に電気的に変換できることを報告した。今回は、電気特性の評価結果をもとに横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界効果について解析したので、その結果について報告する。