[10a-W521-1~12] 17.2 グラフェン

△ [10a-W521-9] 高オンオフ比グラフェンナノリボントランジスタの集積化合成

〇(M1C)小倉 士忠¹、鈴木 弘朗¹、金子 俊郎¹、加藤 俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.さきがけ)

キーワード：グラフェンナノリボン、トランジスタ、集積化

これまで我々は, 独自に開発した先進プラズマCVD技術と, 予めNiで作られたナノバー構造を触媒材料とする独創的アイディアの融合により, 架橋GNRの集積化合成に世界で初めて成功している. 今回, 本手法により成長したGNRFETのオンオフ比改善を試みた. 従来のNiとは異なるGeナノバーを用いてGNR成長を行った結果, 室温環境下において非常に高いオンオフ比（〜10⁴）を得ることに成功した.