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[10a-W541-3] MOVPEリアクタ内におけるCp2Mgの温度依存性
キーワード:p-GaN、有機金属気相成長法、Cp2Mg
p-GaNのMg濃度はデバイス性能を決める重要なパラメータであることから、MgのプリカーサであるCp2Mgのin-situ計測が求められている。供給配管に設置するガスモニタは既にMOVPE装置へ採用されているが、より有益な情報を得るにはリアクタ内のin-situ計測が重要である。本発表では、量子カスケードレーザを用いたリアクタ内モニタを開発し、サセプタ温度を変化させたときのCp2Mg分圧を計測したので報告する。