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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W541 (W541)

荒木努(立命館大)、寒川義裕(九大)

10:00 〜 10:15

[10a-W541-5] Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長

〇出浦桃子¹、朱逸夫¹、百瀬健¹、霜垣幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：Si基板上GaN成長、SiCバッファ層、Si表面炭化