[10a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-W541-7] B₂H₆原料を用いたBN薄膜のCVD成長

〇山田 永¹、井爪 将^1,2、山田 寿一¹、清水 三聡^1,2 (1.産総研、2.名大)

キーワード：窒化ホウ素、ジボラン

六方晶窒化ホウ素（h-BN）はワイドバンドギャップ半導体（∼6eV）であり、深紫外線発光素子材料として期待される。また層状構造を有し、GaN系半導体の剥離層としても期待できる。h-BNの化学気相（CVD）法による薄膜形成は、B原料として有機金属であるトリエチルボラン（TEB）やハロゲン化合物であるトリクロロボラン（BCl₃）が使用される。これら原料と異なりジボラン（B₂H₆）はCやClを原料に含まないことから高純度化が期待できるが、CVDによるh-BNの報告例は殆どない。今回、我々はCVDにより成膜したBN薄膜の特性について報告する。