[10a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10a-W541-8] InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討

〇(M1)藤田 貴志¹、坂井 繁太¹、池田 優真¹、山口 敦史¹、蟹谷 裕也²、冨谷 茂隆² (1.金沢工大、2.ソニー)

キーワード：InGaN量子井戸、組成揺らぎ、Mobility edge

InGaN量子井戸における組成揺らぎは光デバイスの特性に大きな影響を与える。組成揺らぎを評価する一つの指標として、キャリアの局在状態と非局在状態の境界のエネルギーであるMobility edgeを評価するという方法がある。本研究ではMobility edgeについて実験的・理論的に研究し、よく使われているMobility edgeの評価方法が必ずしも正しい結果を与えないことを明らかにした。