[10a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-W541-9] 中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)

〇倉井 聡¹、大川 康平¹、槇尾 凌我¹、高 俊吉¹、林 直矢¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹、山田 陽一¹ (1.山口大院創成科学)

キーワード：InGaN、近接場光学顕微分光、ポテンシャル障壁