[10a-W611-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[10a-W611-8] SiOxを障壁層としたSi量子ドット太陽電池の作製

〇赤石 龍士郎¹、北沢 宏平¹、加藤 慎也²、後藤 和泰¹、宇佐美 徳隆¹、黒川 康良¹ (1.名大院工、2.名工大院工)

キーワード：太陽電池

太陽電池の変換効率を飛躍的に向上させる方法の一つとして、タンデム型太陽電池が注目されている。我々はトップセル候補材料の一つであるSi量子ドットを格子状に配列させたSi量子ドット超格子（Si-QDSL）を光吸収層として用いたSi量子ドット太陽電池について研究を行っている。本研究では、OによるSi量子ドット界面のパッシベーション効果が期待できるSiO_xを障壁層として用い、i型Si-QDSL層を光吸収層とする太陽電池を作製、評価を行った。