[10a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-W641-6] 強誘電性HfO₂ゲート３端子素子によるVO₂電気伝導度の変調

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：金属絶縁体転移、強誘電性、モットトランジスタ

強誘電性HfO₂をゲート絶縁膜として、金属絶縁体転移材料であるVO₂をチャネルとする3端子素子を作製した。HfO₂の分極反転を反映して、パルス状のゲート電圧によって不揮発にVO₂チャネル伝導度を変調することに成功した。