[10a-W810-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[10a-W810-1] GISAXSによるペンタセン製膜中の表面形態評価（III）

〇広沢 一郎¹、渡辺 剛¹、小金澤 智之¹、菊池 護²、吉本 則之² (1.高輝度光科学研究セ、2.岩手大理工)

キーワード：有機半導体、X線散乱、表面形態

製膜中のペンタセン薄膜の表面形態の微小角入射X線小角散乱による評価を試みた。測定された散乱パターンには、散乱ベクトル面内成分が0に近い領域に膜表面の3次元的形状（突起）に由来した信号、0.015 nm^-1付近の領域には突起側面を形成するテラス辺縁の凸凹に由来した信号を見出すことができた。更に、それぞれの信号に膜厚を反映した周期的な信号強度の変化が面法線方向に観測された。以上の結果は、GISAXSによって薄膜成長中の膜厚、表面形態の定量的評価が可能であることを示している。