2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[10a-W810-1~10] 12.2 評価・基礎物性

2019年3月10日(日) 09:15 〜 12:00 W810 (E1001)

山田 洋一(筑波大)、辻岡 強(大教大)

09:45 〜 10:00

[10a-W810-3] 低ガラス転移点を有するアモルファス・ジアリールエテン表面における金属蒸気原子の核形成メカニズム

竹本 育未1、辻岡 強1 (1.大阪教育大)

キーワード:ジアリールエテン、蒸着選択性、核形成

いままで我々が報告してきたジアリールエテン(DAE)膜表面での金属蒸着選択性は、有機デバイスの電極パターニング技術への応用が可能である。本研究では、低ガラス転移点を有するDAE消色膜上では金属が堆積しないが、長時間蒸着を行うと特定時間後に堆積が始まる現象の原因と表面における核形成メカニズムを調べた。この結果、表面拡散中の金属原子とDAE表面分子との化学反応物が核形成サイトとなることが判明した。