The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[10a-W833-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 11:30 AM W833 (W833)

Tsuyoshi Honma(Nagaoka Univ. of Tech.)

11:15 AM - 11:30 AM

[10a-W833-9] Creation of amorphous-characteristic point defects in α-quartz by 2.5 MeV electrons and by fast neutrons

Linards Skuja1, Nadege Ollier2, 〇Koichi Kajihara3, Krisjanis Smits1 (1.Univ. Latvia, 2.Univ. Paris-Saclay, 3.TMU)

Keywords:alpha-quartz, point defects, radiation-induced amorphization

代表的な結晶性シリカであるα-石英は、中性子線、電子線、イオンビームなどの粒子線照射によって非晶質化する。この過程はしばしば点欠陥の形成を伴うが、結晶性シリカ中では観察されず、非晶質化領域にのみ形成される点欠陥に着目することで、照射誘起非晶質化を追跡できる。本発表では、酸素ダングリングボンド(NBOHC)、二配位Si、格子間O2という三種類の発光性点欠陥をプローブとし、強力な非晶質化能を有する高速中性子線、またはより穏やかな線源である2.5MeV電子線を照射したα-石英での欠陥過程をを調べた結果について報告する。