[10a-W933-1~8] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [10a-W933-8] 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付きカンチレバーの開発 (2)

〇高野 幸喜¹、山末 耕平¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、半導体、絶縁膜付き探針

走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いた半導体材料・デバイスのキャリア分布観察では導電性探針と試料表面の酸化膜および半導体から成る局所的なMIS構造が形成されることがこれまで前提とされてきた．しかしながら，自然酸化膜を形成しない試料などではMIS構造が形成されない場合がある．そこで，本研究では，導電性探針を絶縁膜で被覆し，自然酸化膜を形成しない試料においてもMIS構造を形成できる探針を開発した.従来課題であった試料の走査にともなう絶縁膜の摩耗を低減するための対策として，ばね定数の小さなカンチレバーの使用および間欠接触方式の適用を試みた．その結果，従来に比較して大幅に絶縁膜の摩耗を低減できた．