[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

▲ [10a-W934-2] Oxidation-induced shrink of Si-Si bond

〇ShuJun YE¹、Kikuo YAMABE¹、Tetsuo ENDOH¹ (1.Tohoku Univ.)

キーワード：Vertical MOSFET, Si nanoplillar, Oxidation