[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10a-W934-3] HfO₂薄膜を用いたMISダイオードのSi基板面方位依存性

〇(M1)堀内 勇介¹、工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大 工学院)

キーワード：HfO2薄膜、Si基板面方位依存性、界面準位密度

前回までに報告したHf系MONOS型不揮発性メモリのトンネル層として用いるHfO₂薄膜を用いたMISダイオードのSi基板面方位依存性について検討した。作製したAl/HfN_0.5/HfO₂/Si MISダイオードのC-V特性よりV_FBシフトはp-Si(100)基板で-0.99 V、p-Si(110)基板で-1.02 V、p-Si(111)基板で-0.85 Vであることが分かった。また、3次元構造で重要となるp-Si(100)基板およびp-Si(110)基板のリーク電流および界面準位密度はほぼ同様となることが分かった。