[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [10a-W934-4] Hf系MONOS型不揮発性メモリの作製条件依存性

〇(P)工藤 聡也¹、石松 慎¹、堀内 勇介¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：不揮発性メモリ、ハフニウム、ECRプラズマスパッタ

前回までに我々は、Hf系MONOS積層構造をゲート部に有するMISFETおよびダイオードについてメモリ特性を報告した。今回、Hf系MONOS型構造の不揮発性メモリ動作の作製条件依存性について報告する。