[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [10a-W934-6] Ge コア Si 量子ドット/Si 量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性および電子放出エネルギー評価

〇(M2)二村 湧斗¹、牧原 克典¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：電界電子放出、Geコア/ Siシェル量子ドット、多重連結構造