[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10a-W934-9] [講演奨励賞受賞記念講演] 半導体表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎特性の解明

〇平野 智暉¹、中田 裕己¹、山下 裕登¹、李 韶賢¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：エッチング、還元グラフェン、半導体表面

我々は，溶液中で還元グラフェンシートと接触した半導体表面が選択的にエッチングされる，グラフェン・アシストエッチングを初めて見出した．今回は，酸素ガスが溶存した水中でGe表面に対して本手法を適用した時に得られた，本エッチングモードの基礎特性を紹介する．加えて，グラフェンシートのネットワーク内に窒素原子をドーピングし，ドーピングサイトとエッチング速度の相関関係を調べた結果についても報告する．