The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Symposium (Oral)

Symposium » Spin Devices for the IoT/IoH Era

[10p-M101-1~6] Spin Devices for the IoT/IoH Era

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 4:45 PM M101 (H101)

Hidekazu Saito(AIST), Hiro Munekata(Tokyo Tech)

2:00 PM - 2:30 PM

[10p-M101-2] Highly sensitive spintronic strain-gauge sensor and its application to IoT sensor device

Yoshihiko Fuji1, Yoshihiro Higashi1, Kazuaki Okamoto1, Shotaro Baba1, Kei Masunishi1, Tomohiko Nagata1, Shiori Kaji1, Akiko Yuzawa1, Tomio Ono1, Michiko Hara1 (1.Toshiba Corp.)

Keywords:Spintronics, MTJ, Strain-gauge

近年,HDDやMRAMに用いられているMTJ素子を応用した新しいひずみ検知素子が提案されている.我々はこの素子の感度を向上するために,高磁歪のFe基アモルファス磁性材料を検知層に用いたMTJ素子の開発を行い,従来のピエゾ抵抗素子を大きく超えるひずみ検出感度を確認した.講演では作製した素子の特性と,この素子を用いて作製したIoT向けのMEMSマイクフォロンデバイスについて紹介する.