[10p-M101-1~6] IoT/IoH時代にむけたスピンデバイス

[10p-M101-2] スピントロ二クス技術を用いた高感度ひずみ検知素子の開発とIoTセンサデバイスへの展開

〇藤 慶彦¹、東 祥弘¹、岡本 和晃¹、馬場 祥太郎¹、増西 桂¹、永田 友彦¹、加治 志織¹、湯澤 亜希子¹、小野 富男¹、原 通子¹ (1.東芝)

キーワード：スピントロ二クス、磁気トンネル接合、歪ゲージ

近年，HDDやMRAMに用いられているMTJ素子を応用した新しいひずみ検知素子が提案されている．我々はこの素子の感度を向上するために，高磁歪のFe基アモルファス磁性材料を検知層に用いたMTJ素子の開発を行い，従来のピエゾ抵抗素子を大きく超えるひずみ検出感度を確認した．講演では作製した素子の特性と，この素子を用いて作製したIoT向けのMEMSマイクフォロンデバイスについて紹介する．