[10p-M103-1~7] カーボン系材料プラズマプロセスの現状と課題

[10p-M103-3] 高AR孔/溝絶縁膜加工を実現するカーボン材料への期待

〇渡邉 桂¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：ハードマスク、カーボン、3D Flash Memory

メモリデバイスを含む半導体製造プロセスでは多様な高AR(アスペクト比)加工への要求がある。特に、製造技術の観点では大口径300mm Siウェーハ上の被加工物への微細かつ精密な深孔や深溝加工が重要となっており、ドライエッチング技術に加え、ハードマスク材料の開発が極めて重要である。本講演では半導体デバイスで必要とされる高AR絶縁膜加工に対応するカーボンハードマスク材料の現状について述べる。