[10p-M111-1~9] コロイド量子ドット研究の現状と展望

[10p-M111-9] アニオン・配位子置換によるペロブスカイト量子ドットLEDの高性能化

〇千葉 貴之¹、林 幸宏¹、保志 圭吾¹、城戸 淳二¹ (1.山形大院有機シス)

キーワード：ペロブスカイト、量子ドット、発光デバイス

ハロゲン化鉛ペロブスカイト構造を20 nm以下にナノ結晶化したペロブスカイト量子ドットは(CsPbX₃, X=Cl, Br, I)、化学組成および粒径サイズにより可視光全域で発光波長の制御が可能であり、100%に迫る発光量子収率と半値幅の狭いシャープな発光スペクトルを示すことから、次世代発光材料として大きく注目を集めている。本研究では、ペロブスカイト量子ドットの表面配位子と化学組成が発光特性や発光デバイス(LED)特性に与える影響について検証した。ペロブスカイト量子ドットの配位子交換やハロゲンアニオン交換といった『追処理技術』により、ハロゲンアニオン欠陥を抑制することで、ペロブスカイト量子ドットLEDの高性能化を実現した。