2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.5 磁場応用

[10p-M113-1~17] 10.5 磁場応用

2019年3月10日(日) 13:15 〜 18:00 M113 (H113)

山登 正文(首都大)、山本 勲(横国大)、三井 好古(鹿児島大)

17:45 〜 18:00

[10p-M113-17] 磁場アセンブリ法で形成した2次元および3次元マイクロ構造体の微細構造制御

青木 画奈1、瀧谷 昇哉2、山本 琢磨2、藤井 稔2 (1.NICT、2.神戸大院工)

キーワード:磁場センブリ、自己組織化、3次元

我々はマイクロ構造体を、それらの常磁性・反磁性などの磁気的性質を利用し、外部磁場を印加することによって、自発的に規則配列させる、新しい遠隔微細構造組立技術の開発を進めている。これまでに、直径 1〜2.8 μm の常磁性球を、反磁性のフォトレジストパターンに2次元および3次元的に配列させ、UV 光を照射し球とパターンを融着することにより、構造を半永久的に保存する方法を確立している。本研究では2次元パターンの大きさ・形状による、常磁性球間のギャップ間距離と配置制御について報告する。また、反磁性フォトレジストパターンに常磁性球と反磁性球を3次元的に配置する方法を検討した。